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而相比于石墨烯，霍洛二硫化钼结构不存在空间反演对称，霍洛具有非零的天然带隙，单层的二硫化钼又是直接带隙半导体，因此单层二硫化钼被认为是前景更加光明的新型逻辑芯片材料。可以说在2010年以前，旗3氢非石墨烯的单元素二维材料的探索主要停留在理论研究阶段，比如硅烯的理论研究。

研究人员首先在从高质量六方氮化硼单晶中剥离出十几纳米厚的氮化硼薄片，重卡正式然后在利用PMMA转移方法将单层石墨烯转移放置在氮化硼薄片上。图2石墨烯中的狄拉克费米子（A）SdH震荡频率BF与载流子浓度的关系（负值表示空穴浓度，投运正值表示电子浓度）（B）利用SdH震荡最小值相关数N确定BF（C）SdH振幅与温度的关系（D）电子和空穴的Cyclotron质量与浓度的关系（E）石墨烯电子能谱示意图[4]3.二维材料家族出现（Two-dimensionalatomiccrystals开启除石墨烯外其他二维材料的实验研究，投运被引9000多次）维度是定义材料的重要指标之一，即便是化学成分相同的材料，其不同维度形态所展现出来的性质可以完全不一样的。因此，伊金石墨烯的出现打破了人们对厚度为原子层级材料稳定性的传统认知，真正实现了二维材料的可行性制备。

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